特許
J-GLOBAL ID：200903056104486852

新規インドール誘導体およびそれを利用した発光素子

発明者：
新居 一巳

新居 一巳 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384693
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305084
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高輝度、高効率の発光が可能な発光素子材料および発光素子、更に新規なインドール誘導体を提供すること。【解決手段】 基板上に設けた一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む有機化合物層を形成した発光素子において、該有機化合物層でのホスト材料の単層膜が3.6eV以上のエネルギーギャップを有し、かつ該ホスト材料のイオン化ポテンシャルが5.4〜6.3eVであることを特徴とする発光素子、及び下記式で表わされる新規なインドール誘導体と発光素子材料。(式中、L12はヘテロアリール基を含有する2ないし6価の連結基、またはアリーレン基を含有する非共役連結基からなる2ないし6価の連結基、n2は2ないし6の整数を表す。Rは炭素数1から20のアルキル基、炭素数6から20のアリール基、炭素数2から20のヘテロアリール基、または炭素数3から20のシリル基を表し、mは0から6の整数を表す。)
請求項（抜粋）：
基板上に設けた一対の電極間に発光層を含む有機化合物層を形成した発光素子において、該有機化合物層でのホスト材料の単層膜が3.6eV以上のエネルギーギャップを有し、かつ該ホスト材料のイオン化ポテンシャルが5.4〜6.3eVであることを特徴とする発光素子。
IPC (9件)：
H05B 33/14 ,  C07D209/08 ,  C07F 7/10 ,  C09K 11/06 640 ,  C09K 11/06 645 ,  C09K 11/06 650 ,  C09K 11/06 680 ,  C09K 11/06 690 ,  C07D207/325
FI (9件)：
H05B 33/14 B ,  C07D209/08 ,  C07F 7/10 S ,  C09K 11/06 640 ,  C09K 11/06 645 ,  C09K 11/06 650 ,  C09K 11/06 680 ,  C09K 11/06 690 ,  C07D207/325
Fターム (18件)：
3K007AB02 ,  3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007DB03 ,  4C069AC07 ,  4C069BA01 ,  4C204BB05 ,  4C204CB03 ,  4C204DB01 ,  4C204EB01 ,  4C204FB16 ,  4C204GB01 ,  4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ59 ,  4H049VR24 ,  4H049VU29 ,  4H049VW01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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