特許

J-GLOBAL ID：200903056121700116

三次元集積回路装置およびその製造方法

発明者： 小川 元一 ,  鷹野 致和
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-037317
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236695
出願日： 1995年02月24日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【構成】 シリコン基板の表面部に第一の機能素子を設け、この第一の機能素子上に第一の保護膜を設けると共に、ガリウム砒素基板上に、アルミニウムガリウム砒素層とガリウム砒素層を設けて、このガリウム砒素層上に第二の保護膜を設け、この第二の保護膜と前記第一の保護膜を接合した後に、前記アルミニムガリウム砒素層とガリウム砒素基板を除去し、次いで前記ガリウム砒素層部分に第二の機能素子を形成し、この第二の機能素子と前記第一の機能素子を前記保護膜部分に形成したビアホールを介して接続する。【効果】 シリコン系機能素子を破壊することなく、ガリウム砒素系機能素子を同一基板上に集積化して形成することができる。また、ガリウム砒素系化合物半導体中に形成した機能素子で光の入出力を行い、さらにこの機能素子と相互接続したシリコン系機能素子で信号処理することができる高機能三次元集積回路装置を提供できる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に第一の機能素子を形成し、この第一の機能素子上に第一の保護膜を形成すると共に、ガリウム砒素基板上に、アルミニウムガリウム砒素層とガリウム砒素層を形成し、このガリウム砒素層上に第二の保護膜を形成して、この第二の保護膜と前記第一の保護膜を接合した後に、前記アルミニムガリウム砒素層とガリウム砒素基板を除去し、次いで前記ガリウム砒素層に第二の機能素子を形成し、この第二の機能素子と前記第一の機能素子を前記保護膜部分に形成したビアホールを介して接続する三次元集積回路装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/00 301 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/40 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18 ,  H01L 31/10

FI (6件)：

H01L 27/00 301 B ,  H01L 27/12 G ,  H01L 29/40 A ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/18 ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-133341
  
• 特開昭63-205918
  
• 高密度回路装置およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-186447   出願人：ヒューズ・エアクラフト・カンパニー