特許
J-GLOBAL ID：200903056125806733

半導体装置およびその製造方法

発明者：
藤居 豊和

藤居 豊和 について

, 
松本 晋

松本 晋 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-275672
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111718
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 ダミーパターンを用いても、寄生容量が増加せず、またダミーパターンが存在することによるパターン修正頻度の増加をなくす。【解決手段】 半導体基板1上の配線2と、この配線2が存在する半導体基板1上の全面に形成されて上面が平坦化された層間絶縁膜3とを備えた半導体装置であって、配線2がダミーパターン5を有し、このダミーパターン5と信号線として用いる配線4との距離が、3μm以上で200μm以下となるように設定されている。配線間隔を3μm以上とすることにより寄生容量を無視でき、動作速度は遅くならない。また、ダミーパターン5が配線パターンと200μm程度離れた箇所に存在しても、十分にダミーパターン5として平坦化への効果を発揮することができる。これに伴い、他のレイヤのパターンを修正するときでも、ダミーパターン5の修正の必要がなくレイアウト修正が容易になる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の配線と、この配線が存在する前記半導体基板上の全面に形成されて上面が平坦化された層間絶縁膜とを備えた半導体装置であって、前記配線がダミーパターンを有し、このダミーパターンと信号線として用いる配線との距離が、3μm以上で200μm以下となるように設定したことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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