特許

J-GLOBAL ID：200903056127068160

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小久保 和浩 ,  塚本 健人 ,  大房 俊雄 ,  田中 聡 ,  秋本 聡
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310454
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167673
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【構成】半導体装置の外部接続部分にシリコン系のゴム7を貼り合わせ、これにレーザを用いてホール8を形成し無電解メッキ槽に浸漬することでNiメッキをホールの側面に形成した。パラジウムを付けた後に低圧水銀ランプを照射することにより、メッキが形成されなくなる。その後シリコンゴムのみを剥膜することにより外部接続面に円筒状の物を形成した。【効果】ピッチが狭く接続端子数が増加しつつも接触不良が無く実装でき、温度差があっても熱膨張率の違いによるズレを吸収できる信頼性の高い接続部分を形成することができた。

請求項（抜粋）：

外部接続端子が多数本一方向に出ている半導体装置において、前記接続端子部の少なくとも1つ以上が円筒状である半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 602 F ,  H01L 21/92 604 B

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ICパッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-127668   出願人：株式会社エンプラス
• 特開平2-178957
  

審査官引用 (3件)

• 特開平2-178957
  
• 特開平2-178957
  
• ICパッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-127668   出願人：株式会社エンプラス