特許
J-GLOBAL ID：200903056129179750

アドレス装置

発明者：
トーマス・エス・ブザック

トーマス・エス・ブザック について


出願人/特許権者：
ソニー・テクトロニクス株式会社

ソニー・テクトロニクス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332406
公開番号（公開出願番号）：特開平5-264979
出願日： 1992年11月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【構成】平行な複数の列電極が形成された第1基板、列電極に直交する複数の溝が形成された第2基板、溝内に形成されストローブ信号を受け取る2つの電極、第1及び第2基板間に間挿した誘電体及び溝内に封入したイオン化可能なガスを有するアドレス装置であり、溝内の2つの電極の少なくとも一方を誘電体層で被覆した。【効果】 溝内の行電極を覆う誘電体層は小さなコンデンサを形成し、行電極と列電極と共に、イオン可能なガスを励起させて、溝の全域にわたり均一なグロー放電を発生させる。行電極を誘電体材料で覆わない溝内に含まれるイオン化可能ガスより寿命が長い。
請求項（抜粋）：
主面に略平行に形成した複数の第1電極を有する第1基板と、主面に上記第1電極と交差し略平行に形成され、イオン化可能なガスが封入された複数の溝を有すると共に、該複数の溝の各々に形成された第2及び第3電極を有する第2基板と、上記第1及び第2基板間に間挿され、上記第1及び第2電極の各交差部に蓄積素子を形成する誘電体材料層と、上記第1電極にデータ信号を供給する第1信号印加手段と、上記第2及び第3電極にストローブ信号を供給する第2信号印加手段とを具え、上記第2及び第3電極の少なくとも一方は、誘電体材料により被覆されたことを特徴とするアドレス装置。
IPC (3件)：
G02F 1/1333 ,  G09G 3/20 ,  H01J 11/00
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM