低温焼成磁器組成物、低温焼成磁器とその製造方法、並びにそれを用いた配線基板とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-160746
公開番号（公開出願番号）：特開2001-342063
出願日： 2000年05月30日
公開日（公表日）： 2001年12月11日
要約：

【要約】【課題】低温焼成が可能で、金、銀、銅などの低抵抗金属を導体材料として同時焼成が可能であり、高熱伝導率かつ低誘電率を有し、高い熱放散性と高周波信号の遅延時間が小さい絶縁基板に適した磁器を得る。【解決手段】絶縁基板1と、メタライズ配線層2とを具備する配線基板において、絶縁基板1を、AlN、Si3N4、SiC、BNなどの非酸化物系セラミックフィラーを5〜70重量%と、ガラス転移点が800°C以下であり、かつ1200°Cで加熱溶融したガラス融液中に純度96重量%以上の前記非酸化物系セラミックスを5分間浸積した後の単位表面積あたりの重量減少が0.15g/cm2以下のホウ珪酸系ガラスを30〜95重量%との割合で混合し、これを所定形状に成形後、800〜1000°Cにて焼成した磁器によって形成する。

請求項（抜粋）：

非酸化物系セラミックフィラーを5〜70重量%と、ガラス転移点が800°C以下であり、かつ1200°Cで加熱溶融したガラス融液中に純度96重量%以上の前記非酸化物系セラミックスを5分間浸積した後の単位表面積あたりの重量減少が0.15g/cm2以下のホウ珪酸系ガラスを30〜95重量%とからなることを特徴とする低温焼成磁器組成物。

IPC (7件)：

C04B 35/495 , C04B 35/565 , C04B 35/584 , C04B 35/583 , C04B 35/581 , H05K 1/03 610 , H05K 1/03

FI (7件)：

H05K 1/03 610 E , H05K 1/03 610 D , C04B 35/00 J , C04B 35/56 101 D , C04B 35/58 102 A , C04B 35/58 103 A , C04B 35/58 104 A

Fターム (30件)：

4G001BA01 , 4G001BA02 , 4G001BA04 , 4G001BA22 , 4G001BA32 , 4G001BA33 , 4G001BA36 , 4G001BB02 , 4G001BB04 , 4G001BB22 , 4G001BB32 , 4G001BB33 , 4G001BB36 , 4G001BC11 , 4G001BC53 , 4G001BD03 , 4G001BD23 , 4G001BE11 , 4G001BE32 , 4G030AA35 , 4G030AA37 , 4G030AA47 , 4G030AA50 , 4G030AA51 , 4G030AA52 , 4G030BA09 , 4G030BA12 , 4G030CA08 , 4G030GA09 , 4G030GA27

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-254477
特開平2-225338
特開昭63-210043

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