熱リソグラフィー用化学増幅型ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-283967
公開番号（公開出願番号）：特開2008-102277
出願日： 2006年10月18日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】熱リソグラフィーによるレジストパターン形成が可能な熱リソグラフィー用化学増幅型ポジ型レジスト組成物、および該熱リソグラフィー用化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】熱リソグラフィーに用いられるレジスト膜を形成するための熱リソグラフィー用化学増幅型ポジ型レジスト組成物であって、当該熱リソグラフィー用化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜が、前記熱リソグラフィーにおいて用いられる露光光源の波長において、膜厚100nmあたり0.08以上の吸光度を有することを特徴とする熱リソグラフィー用化学増幅型ポジ型レジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

熱リソグラフィーに用いられるレジスト膜を形成するための熱リソグラフィー用化学増幅型ポジ型レジスト組成物であって、当該熱リソグラフィー用化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜が、前記熱リソグラフィーにおいて用いられる露光光源の波長において、膜厚100nmあたり0.08以上の吸光度を有することを特徴とする熱リソグラフィー用化学増幅型ポジ型レジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/039 , H01L 21/027 , G03F 7/004

FI (3件)：

G03F7/039 601 , H01L21/30 502R , G03F7/004 503Z

Fターム (12件)：

2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC01 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BF02 , 2H025BF15 , 2H025BG00 , 2H025CA41 , 2H025CC20 , 2H025FA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許第2881969号公報
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-201310 出願人：東京応化工業株式会社

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