特許

J-GLOBAL ID：200903056180567012

窒化アルミニウム焼結体及びそれを用いた回路基板

発明者： 高城 東一 ,  広留津 秀樹 ,  寺崎 隆一
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-005341
公開番号（公開出願番号）：特開平10-194839
出願日： 1997年01月16日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：

【要約】【課題】高強度の窒化アルミニウム焼結体及びそれを用いて高信頼性の回路基板を提供すること。【解決手段】任意の断面において、窒化アルミニウム粒子の平均粒子径が1μm以上4μm以下であり、しかも窒化アルミニウム粒子間の三重点における結合相の80%以上が正の曲率の形状であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体及びそれを用いた回路基板である。

請求項（抜粋）：

任意の断面において、窒化アルミニウム粒子の平均結晶粒径が1μm以上4μm以下であり、しかも窒化アルミニウム結晶粒子間の三重点における結合相の80%以上が正の曲率の形状で、かつ孤立した状態であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。

IPC (2件)：

C04B 35/581 ,  H05K 1/03 610

FI (2件)：

C04B 35/58 104 D ,  H05K 1/03 610 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• AlN焼結体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-011740   出願人：昭和電工株式会社