特許

J-GLOBAL ID：200903056181700620

バンプ形成方法及びバンプ形成装置

発明者： 今西 誠 ,  成田 正力 ,  池谷 雅彦 ,  金山 真司 ,  前 貴晴
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173086
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031181
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハにバンプを形成するときに、従来とは異なる温度制御を行うバンプ形成装置、及び該バンプ形成装置にて実行されるバンプ形成方法を提供する。【解決手段】 ボンディングステージ110、移載装置140、及び制御装置180を備え、バンプ形成後に、上記制御装置の制御により上記ボンディングステージの上方に上記移載装置に保持されたバンプ形成後ウエハ202を配置し該ウエハの温度降下を制御する。よって、温度変化に敏感な化合物半導体ウエハであっても熱応力による割れ等の不具合の発生を防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハに形成された回路の電極上にバンプを形成するバンプ形成方法であって、バンプ形成のために行う上記半導体ウエハの本加熱後における上記半導体ウエハへのバンプボンディング後、当該半導体ウエハを収納容器へ収納する前に、上記半導体ウエハに対して上記半導体ウエハの温度降下を制御したアフタークーリング動作を行うことを特徴とするバンプ形成方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• バンプ形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-015384   出願人：株式会社東芝
• 特開昭64-012555