特許
J-GLOBAL ID:200903056185730680

二次電子検出器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  鈴木 壯兵衞
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-207768
公開番号(公開出願番号):特開2009-043594
出願日: 2007年08月09日
公開日(公表日): 2009年02月26日
要約:
【課題】二次電子の検出量の減少を抑制することが可能な二次電子検出器を提供する。【解決手段】一次荷電粒子が照射された試料表面から放出される二次電子を吸収して光に変換するシンチレータ22と、ライトガイド24を通して導かれた光を電子に変換して増幅する光電変換装置26を備える二次電子検出器20である。シンチレータ22が、ライトガイド24上に配置され、光に対して透明な基板2と、基板2上に設けられ、二次電子を引き寄せる電圧が印加され、光に対して透明な導電膜4と、導電膜4上に設けられ、二次電子の入射により光を発光する発光膜6とを備える。【選択図】図2
請求項(抜粋):
二次電子を吸収して光に変換するシンチレータと、 該シンチレータに接続されたライトガイドと、 該ライトガイドを通して前記シンチレータから導かれた前記光を電子に変換して増幅する光電変換装置とを備え、 前記シンチレータが、前記ライトガイド上に配置され、前記光に対して透明な基板と、該基板上に設けられ、前記二次電子を引き寄せる電圧が印加され、前記光に対して透明な導電膜と、該導電膜上に設けられ、引き寄せられた前記二次電子の入射により前記光を発光する発光膜とを備えることを特徴とする二次電子検出器。
IPC (1件):
H01J 37/244
FI (1件):
H01J37/244
Fターム (2件):
5C033NN01 ,  5C033NP01
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 荷電粒子ビーム装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-165053   出願人:日本電子株式会社

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