特許
J-GLOBAL ID：200903056204021440

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
金子 佐一郎

金子 佐一郎 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-356012
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158265
出願日： 2001年11月21日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 低オン抵抗の高耐圧電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 N+型SiC基板上11に形成され、該SiC基板11よりも低い不純物濃度のN-型のエピタキシャル領域21と、エピタキシャル領域21の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有する縮退していないN+型のチャネル領域100と、エピタキシャル領域21の表層部の所定領域に、チャネル領域100と接続するように形成され、所定深さを有する縮退したP++型のソース領域110と、チャネル領域100の表面に形成されたゲート絶縁膜51と、ゲート絶縁膜51の上に形成されたゲート電極61と、を具備して構成される。
請求項（抜粋）：
珪素よりバンドギャップの広い半導体からなるワイドバンドギャップ半導体基板を有する電界効果トランジスタにおいて、前記ワイドバンドギャップ半導体基板上に形成され、該ワイドバンドギャップ半導体基板よりも低い不純物濃度の第一導電型の半導体エピタキシャル層と、前記半導体エピタキシャル層の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有する縮退していない第一導電型のチャネル領域と、前記半導体エピタキシャル層の表層部の所定領域に前記チャネル領域と接続するように形成され、所定深さを有する縮退した第二導電型のソース領域と、前記チャネル領域の表面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、を備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 654
FI (8件)：
H01L 29/78 652 A ,  H01L 29/78 652 B ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 654 Z ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 301 V
Fターム (17件)：
5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC13 ,  5F140BA02 ,  5F140BA04 ,  5F140BA06 ,  5F140BA16 ,  5F140BC06 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF43 ,  5F140BH21 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • インバータ構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-250082   出願人：日本電気株式会社
  • 特開昭63-099580

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