化合物半導体低接触抵抗電極の形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平山一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250433
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098010
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】化合物半導体を用いた超高速半導体デバイスプロセスに適した低抵抗オーミックコンタクトを形成する化合物半導体低接触抵抗電極の形成方法を提供する。【解決手段】不純物を1x1019/cc以上にドーピングしたコンタクト層上にパターンを形成し、金属膜を堆積する前の前処理工程の温度を300°C〜480°Cの範囲の所定温度として表面の自然酸化膜を除去し、その後、前処理温度或いはその前処理温度以下で金属膜の堆積を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に所定の半導体コンタクト層を形成する工程と、上記コンタクト層が形成された半導体基板上に所定のパターンを形成する工程と、この半導体基板上に原料ガスを導入し所定の金属膜を堆積する工程と、を含む化合物半導体の低接触抵抗電極の形成方法において、上記金属膜に接する半導体コンタクト層に添加する不純物を1x1019/ cc以上とし、上記金属膜を堆積する前の前処理工程の温度を300°Cから480°Cの範囲にある所定温度とし、この前処理工程の所定温度或いはその所定温度以下を金属膜の堆積温度とすることを特徴とする化合物半導体低接触抵抗電極の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/203 , H01L 21/285

FI (4件)：

H01L 21/28 301 H , H01L 21/28 A , H01L 21/203 M , H01L 21/285 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

金属膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-298425 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-170417

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