半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋詔男 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-308873
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145147
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】イオン注入された不純物の活性化のための熱処理を700°C以下の低温で、かつ、短時間に活性化可能な半導体集積回路の構造および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 1は半導体基板であり、2は、半導体基板1の表面である。3は、半導体基板1の表面2から基板内部に向かい5μmないし10μmの深さで生成された、たとえば1×1017cm-3以下の酸素濃度の低酸素濃度領域である。

請求項（抜粋）：

シリコン半導体基板と、このシリコン半導体基板表面部に形成された低酸素濃度領域と、を具備し、前記半導体基板表面部の電気伝導度を変化させる不純物原子のイオン注入が前記低酸素濃度領域内に行われることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/322 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 21/322 Y , H01L 21/265 Z , H01L 21/265 602 B

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-050746 出願人：富士通株式会社
特開昭60-089931
特開昭58-014538

全件表示

前のページに戻る