特許
J-GLOBAL ID：200903056220827110
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066130
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264667
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 消去速度のビット間ばらつきを抑え、電極間リーク電流を低減する。【構成】 下部シリコン酸化膜16を有する制御電極・浮遊電極間誘電体膜31が、リン添加多結晶シリコン膜で構成される浮遊電極5と制御電極6の間に形成されている。下部シリコン酸化膜16と浮遊電極5との間にはシリコン窒化膜層17が形成されている。また、浮遊電極5を構成するリン添加多結晶シリコン膜は窒素原子を含有している。【効果】 浮遊電極とシリコン酸化膜の間にシリコン窒化膜層が形成されているので、浮遊電極と制御電極間のリーク電流が抑制される。リン添加多結晶シリコン膜が窒素を含有するので、装置の製造工程で不可避的に行われる昇温処理にともなうシリコン結晶粒の成長が抑えられ、結晶粒が小さくなる。このため、浮遊電極の端部の形状が揃うので消去速度のビット間ばらつきが抑えられる。
請求項（抜粋）：
シリコン酸化膜層を有する誘電体膜が一組の電極膜の間に挟まれて成るキャパシタを有する半導体装置であって、前記一組の電極膜の中の一方電極膜は所定導電型の不純物を含有する多結晶シリコンから成り、前記誘電体膜は前記一方電極膜の主面との境界面にシリコン窒化膜層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
