特許

J-GLOBAL ID：200903056255749332

半導体装置及びその製造方法

発明者： 梅基 毅 ,  高橋 寛
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-011240
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221291
出願日： 1994年02月02日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 電流駆動能力の高い高耐圧MOSトランジスタを提供する。【構成】 高耐圧MOSトランジスタのゲート電極1005に、ドレイン領域1004の導電型と異なる導電型のポリシリコンを用い、少なくともドレイン端を含むゲート電極の一部に高抵抗である領域1006を設けるという構成とした。

請求項（抜粋）：

高耐圧MOSトランジスタの半導体装置において、ゲート電極の少なくともドレイン端を含む一部に高抵抗部が設けられていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-211745   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-096275
  
• 特開昭63-255967
  
• 特開昭52-086084