半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-011240
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221291
出願日： 1994年02月02日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】電流駆動能力の高い高耐圧MOSトランジスタを提供する。【構成】高耐圧MOSトランジスタのゲート電極1005に、ドレイン領域1004の導電型と異なる導電型のポリシリコンを用い、少なくともドレイン端を含むゲート電極の一部に高抵抗である領域1006を設けるという構成とした。

請求項（抜粋）：