フォトレジスト用高分子化合物及び感光性樹脂組成物

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤幸久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-153173
公開番号（公開出願番号）：特開2002-338627
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】フォトレジスト用として用いた場合に高いエッチング耐性を示す高分子化合物を得る。【解決手段】下記式(Ia)〜(Ig)【化1】[式中、Raは水素原子又はメチル基を示す。R1、R2は水素原子又は炭素数1〜5の炭化水素基を示す。R3は置換基を有していてもよい第3級炭化水素基等を示す。R4は水素原子、炭素数1〜20の炭化水素基、ヒドロキシル基等を示す。Aは単結合、メチレン基、エチレン基等を示す。Lは置換基を有していてもよい5員環以上のラクトン環を示す。Xは置換基を有していてもよい2価の脂環式基を示す。Y、Y1、Y2は置換基を有していてもよい1価の脂環式基を示す(但し、式(Ic)におけるYについては、nが0のときは、置換基を有していてもよいアダマンチル基を除く)。mは0又は1を示す。n、n1、n2は0、1又は2を示す]から選択された少なくとも1種のモノマー単位を含む高分子化合物。

請求項（抜粋）：

下記式(Ia)〜(Ig)【化1】[式中、Raは水素原子又はメチル基を示す。R1、R2は水素原子又は炭素数1〜5の炭化水素基を示す。R3は置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロピラニル基又はテトラヒドロフラニル基を示す。R4は水素原子、炭素数1〜20の炭化水素基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基又は保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基を示す。Aは単結合、メチレン基、エチレン基又はヒドロキシエチレン基を示す。Lは置換基を有していてもよい5員環以上のラクトン環を示す。Xは置換基を有していてもよい2価の脂環式基を示す。Y、Y1、Y2は置換基を有していてもよい1価の脂環式基を示す(但し、式(Ic)におけるYについては、nが0のときは、置換基を有していてもよいアダマンチル基を除く)。mは0又は1を示す。n、n1、n2は0、1又は2を示す]から選択された少なくとも1種のモノマー単位を含む高分子化合物。

IPC (8件)：

C08F 20/28 , C08F 20/18 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F222/06 , C08F232/08 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (8件)：

C08F 20/28 , C08F 20/18 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F222/06 , C08F232/08 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (26件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025BJ10 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB52 , 2H025FA17 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100BA11 , 4J100BA12 , 4J100BA20 , 4J100BC07 , 4J100BC08 , 4J100BC09 , 4J100BC12 , 4J100BC53 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (3件)

ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-120919 出願人：富士写真フイルム株式会社
ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-101333 出願人：富士写真フイルム株式会社
耐塩性吸収剤組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-136530 出願人：三洋化成工業株式会社

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