特許
J-GLOBAL ID：200903056270007695
HEMT-HBTカスコ-ド分布増幅器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-293723
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195939
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 既知の分布増幅器に比べてRF出力が増加した分布増幅器を提供すること。【解決手段】 高電子移動度トランジスタ-(HEMT)のような共通ソ-スFETが、全てがHEMTの既知の分布増幅器と比較するとRF出力を増大させる共通ベ-ス構成のヘテロ接合バイポ-ラトランジスタ-(HBT)を駆動するために用いられている、カスコ-ド配列で構成された高電子移動度トランジスタ-(HEMT)とヘテロ接合バイポ-ラトランジスタ-(HBT)から成る分布増幅器を提供する。
請求項（抜粋）：
各増幅器段階が、ゲ-ト、ドレイン、ソ-スの各端子を含む所定の電界効果トランジスタ-(FET)と、ベ-ス、コレクタ-、エミッタの各端子を有するヘテロ接合バイポ-ラトランジスタ-(HBT)とを含む、そのような複数の増幅器段階と、入力伝送ラインと出力伝送ラインを疑似するよう選択され、増幅器段階間に連結された、複数の所定のインピ-ダンスと、前記HBTの所定の端子と電気的に連結された出力端子とからなることを特徴とする分布増幅器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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