特許

J-GLOBAL ID：200903056288680290

半導体装置及びその製造方法

発明者： 牧野 誠司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 藤本 博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-017233
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232120
出願日： 1993年02月04日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 メタル配線となる金属膜(Al系、Cu系)を単結晶化し、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性を高め、ボイド及びヒロックの発生を抑制する。【構成】 半導体基板101上に、層間絶縁膜102を堆積し、更にメタル配線となる金属膜103を堆積する。次に、薄いSiO2膜104を介して、光熱吸収性膜105を堆積し、フォトリソグラフィ工程により、光熱吸収性膜105を配線パターンとは相補性の反転パターンにパターニングする。次に、レーザ光107を照射すると、金属膜103は熱を吸収して一旦熔融するが、光熱吸収性膜105の無い部分から再結晶化が始まり、光熱吸収性膜105の直下に金属膜103の結晶粒界が集まる。こうして配線領域の金属膜103が単結晶化される。この後、通常と同様の配線パターニングを行う。

請求項（抜粋）：

半導体装置の配線構造に於いて、相互に電気的接続が必要とされる半導体基板上の複数の領域を接続する配線回路網が、アルミニウム系材料、または銅系材料等の高反射率金属系材料からなる単結晶で形成されていることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/88 A ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-235253
  
• 特開平4-061338
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-272920   出願人：株式会社東芝