特許
J-GLOBAL ID：200903056301778504
絶縁ゲ-ト型トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-270583
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091575
出願日： 1998年09月07日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 絶縁ゲート型電界効果トランジスタを生産性良く製造することが困難であった。【解決手段】 ソース領域15を突き抜けた溝17を形成し、この溝17にソース電極20を配置し、ソース領域15の側面をソース電極20に接触させる構造の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを製造する時に、溝17を形成する前に、イオン注入法でソース領域用の浅い不純物分布領域を突き抜けるように溝17を形成し、しかる後、ボディ領域14にコンタクト領域16を形成し、同時にn+形不純物分布領域の不純物拡散を進めてソース領域15を得る。
請求項（抜粋）：
第1及び第2の主面を有する半導体基体と、絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有し、前記半導体基体は、前記第1の主面と前記第2の主面との両方に露出するように配置されたドレイン領域と、前記ドレイン領域に隣接配置され且つ前記基体の前記第1の主面に露出する部分を有しているボディ領域と、前記ボディ領域に隣接配置され且つ前記基体の前記第1の主面に露出する部分を有しているソース領域と、前記ボディ領域に隣接配置され且つ前記ボディ領域と同一の導電型を有しているコンタクト領域とを備え、前記半導体基体の前記第1の主面に前記ソース領域以上の深さを有する溝が形成され、前記溝は前記ソース領域の側面を露出させ且つ前記コンタクト領域を露出させるように配置され、前記ソース電極は前記溝の内に侵入して前記ソース領域の側面に接触すると共に前記コンタクト領域に接触するように形成され、前記ドレイン電極は前記基体の前記第2の主面に配置され、前記ゲート電極は前記ボディ領域の前記第1の主面に露出している部分に前記絶縁膜を介して対向するように配置されている絶縁ゲート型トランジスタの製造方法であって、前記ソース領域の導電形を決定するための第1の不純物をイオン注入法で前記ボディ領域に注入して前記ソース領域の最終的な深さよりも浅い不純物分布領域を形成する工程と、前記浅い不純物分布領域を突き抜けるように前記溝を形成する工程と、前記コンタクト領域の導電形を決定するための第2の不純物を前記溝を通して前記ボディ領域に導入して前記コンタクト領域を形成する工程と、前記コンタクト領域の形成と同時又は独立の加熱処理で前記浅い不純物分布領域の不純物を深く拡散して前記ソース領域を得る工程とを備えていることを特徴とする絶縁ゲート型トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/78 652 M
, H01L 29/78 652 B
, H01L 29/78 658 G
, H01L 29/78 658 A
