MIS型半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329387
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193231
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】本発明は、装置を微細化してオン抵抗を十分に小さくし、また寄生バイポーラトランジスタ等のターンオンを抑えて二次降伏等による装置破壊を防止することを目的とする。【構成】ボディ領域3の表面側に形成されているソース領域10の少なくとも一部をそのボディ領域3を形成している半導体材料よりもバンドギャップの小さい半導体材料で形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型のボディ領域と、該ボディ領域の表面側に形成された第2導電型のソース領域と、前記ボディ領域を間において前記ソース領域から離間して形成されたドレイン領域となる第2導電型領域と、該第2導電型領域と前記ソース領域との間の前記ボディ領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有するMIS型半導体装置において、前記ソース領域の少なくとも一部を前記ボディ領域を形成している半導体材料よりもバンドギャップの小さい半導体材料で形成してなることを特徴とするMIS型半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 321 B , H01L 29/78 321 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-241159
特開昭61-276265
特開昭63-013379

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