プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-065769
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250815
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】安定性・再現性にすぐれたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】処理室100内に設けられたUHF帯アンテナ110から放射される電磁波と、処理室100の周囲に設置された磁場形成手段101で形成される磁場との相互作用により、処理室内部にプラズマを発生してウエハWを処理するプラズマ処理装置において、ウエハに対向してアンテナに設置されたシリコン製のプレート115に対して、Vdc=-10 V〜-300 Vのバイアスを印加し、シリコンの抵抗率を1Ω・cm以上10 Ω・cm以下、特に5 Ω・cm程度として内部抵抗による自己発熱で昇温させることで、プレート115の温度を100°C以上200°C以下の範囲で±25°C以内の変動として、プロセスの安定性・再現性を確保する。

請求項（抜粋）：

真空処理室と、該真空処理室にガスを供給する処理ガス供給手段と、該真空処理室内で処理される試料を保持する電極と、前記試料に対向して該真空処理室に設置されるプラズマ発生装置と、該真空処理室を減圧する真空排気系とを有するプラズマ処理装置において、前記プラズマ発生装置は処理室内側に設置されたシリコン製のプレートを有し、該シリコン製のプレートに対してVdc=-50V以上-300V以下のバイアス電圧を印加し、かつ、前記プレートの表面温度を100°C以上200°C以下の範囲とすることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 , B01J 19/08 , C23C 16/509 , C23F 4/00 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (7件)：

B01J 19/08 E , C23C 16/509 , C23F 4/00 Z , H01L 21/31 C , H05H 1/46 B , H05H 1/46 L , H01L 21/302 B

Fターム (55件)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075BA05 , 4G075BA06 , 4G075BC06 , 4G075BD14 , 4G075CA26 , 4G075CA47 , 4K030EA01 , 4K030FA01 , 4K030KA20 , 4K030KA22 , 4K030KA30 , 4K030KA41 , 4K057DA01 , 4K057DA20 , 4K057DD05 , 4K057DE06 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DM08 , 4K057DM24 , 4K057DM29 , 4K057DM39 , 4K057DM40 , 4K057DN01 , 5F004AA15 , 5F004AA16 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004BB07 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BC08 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F045AA08 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045BB03 , 5F045BB15 , 5F045DP03 , 5F045EB03 , 5F045EB06 , 5F045EF05 , 5F045EH02 , 5F045EH16 , 5F045EH17 , 5F045EH20 , 5F045EK02

引用特許：

審査官引用 (3件)

高密度プラズマプロセスチャンバ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-199184 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
プラズマプロセス装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-340314 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-147672 出願人：株式会社日立製作所

前のページに戻る