特許

J-GLOBAL ID：200903056339072907

半導体装置の製造方法

発明者： 坂田 和之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-010968
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203896
出願日： 1995年01月26日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 第2の金属配線膜を接続孔に容易に埋め込みウエハ面上の平坦性を向上させ、かつ接続孔での抵抗値を安定で低抵抗なものとさせる。【構成】 従来公知の方法で半導体基板としての層間絶縁膜1上に第1のAl系合金膜2及び層間絶縁膜4を順次成膜し、上記層間絶縁膜4に接続孔5を開口させてその開口部の底部に上記第1のAl系合金膜2を露出させる工程を経た後、そのウエハを真空装置内で高温(250°C)に晒し層間絶縁膜4からのガス放出を行う(図1(a)参照)。その後、真空装置内でウエハを冷却する(図1(b)参照)。その冷却温度を50°C以下とする。次に、上記接続孔5に窒化膜7と高融点金属膜6及び第2の金属膜としての第2のAl系合金膜3を順次成膜し高温(450°C以上)に晒すようにして接続孔5へ第2のAl系合金膜3を埋め込む(図1(c)参照)。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の金属配線膜及び層間絶縁膜を順次成膜する第1の工程と、上記層間絶縁膜に接続孔を開口させてその開口部の底部に上記第1の金属配線膜を露出させる第2の工程と、この第2の工程を経たウエハを真空装置内で高温に晒し上記層間絶縁膜からのガス放出を行う第3の工程と、上記真空装置内で上記第3の工程を経たウエハを冷却する第4の工程と、上記真空装置内で上記接続孔に高融点金属膜と窒化膜及び第2の金属膜を順次成膜し高温に晒す第5の工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/88 J ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-025324   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平4-171940