特許
J-GLOBAL ID：200903056354417694
プラズマエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-349608
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066855
出願日： 2004年12月02日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】 処理容器内に導入する処理ガスの流れや濃度分布を精細かつ自在に制御し、エッチング特性の制御性を改善すること。【解決手段】 このプラズマエッチング装置は、チャンバ10内のプラズマ生成空間PSにエッチング用のガスを導入するためのガス導入部として、上部電極38側からガスを導入する上部ガス導入部(上部中心シャワーヘッド68aおよび上部周辺シャワーヘッド68a)を備える構成に加えて、チャンバ10の側壁側からガスを導入する側部ガス導入部104を備えている。側部ガス導入部104は、チャンバ10の側壁に取り付けられる側部シャワーヘッド108を有している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
減圧可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を載置する下部電極と、
前記処理容器内で前記下部電極とプラズマ生成空間を介して対向する上部電極と、
前記プラズマ生成空間に高周波電界を形成するために前記上部電極と前記下部電極との間に高周波を印加する高周波給電部と、
前記プラズマ生成空間に前記上部電極側からエッチャント系の第1のガスを導入する上部ガス導入部と、
前記プラズマ生成空間に前記処理容器の側壁側から希釈系の第2のガスを導入する側部ガス導入部と
を有するプラズマエッチング装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F004AA01
, 5F004BA06
, 5F004BA09
, 5F004BB11
, 5F004BB22
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004BC03
, 5F004CA02
, 5F004CA08
, 5F004DA26
