特許

J-GLOBAL ID：200903056403998053

電力半導体装置

発明者： 伊原 文明 ,  梶 芳久
出願人/特許権者： 富士通電装株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-311435
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118227
出願日： 2000年10月12日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 複数の半導体装置を放熱基板に固定して、並列接続した電力半導体装置に関し、冷却効果の相違に基づきジャンクション温度をほぼ同一として、全体としての電流容量を増加する。【解決手段】 バイボーラトランジスタや電界効果トランジスタQ1〜Qnをパッケージに収容した複数の半導体装置を放熱基板に固定し、複数の半導体装置を並列接続し且つ電流を検出して分担電流を制御する主制御回路MCを有し、放熱基板に対して冷却空気を流通させて半導体装置を冷却する電力半導体装置であって、放熱基板に固定した半導体装置の冷却空気の流通方向に沿った順に、冷却空気の吸気側に位置する半導体装置に流す電流を、冷却空気の排気側に位置する半導体装置に流す電流より多くなるように、各半導体装置の電流検出用の抵抗値Rs1〜Rsnを設定した構成とする。

請求項（抜粋）：

複数の半導体装置を放熱基板に固定し、前記複数の半導体装置を並列接続し且つ電流を検出して分担電流を制御する主制御回路を有し、前記放熱基板に対して冷却空気を流通させて前記半導体装置を冷却する電力半導体装置に於いて、前記放熱基板に固定した前記半導体装置の前記冷却空気の流通方向に沿った順に、前記冷却空気の吸気側に位置する前記半導体装置に流す電流を、前記冷却空気の排気側に位置する前記半導体装置に流す電流より多くなるように、各半導体装置の電流検出用の抵抗値を設定したことを特徴とする電力半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 25/10 ,  H01L 25/18 ,  G05F 1/56 320 ,  H05K 7/20 ,  H02M 1/00

FI (4件)：

G05F 1/56 320 H ,  H05K 7/20 H ,  H02M 1/00 R ,  H01L 25/10 Z

Fターム (17件)：

5E322AA01 ,  5E322BB03 ,  5H430BB09 ,  5H430BB12 ,  5H430EE06 ,  5H430EE13 ,  5H430FF08 ,  5H430HH03 ,  5H430LA06 ,  5H430LA10 ,  5H430LA21 ,  5H430LB02 ,  5H740BA11 ,  5H740BB02 ,  5H740BB07 ,  5H740MM11 ,  5H740PP06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電力変換装置の冷却用ヒ-トシンク組立体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-188868   出願人：東洋電機製造株式会社
• 電子機器の強制空冷構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-051400   出願人：株式会社日立製作所