特許
J-GLOBAL ID：200903056407653409
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065160
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260733
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【目的】 ウエハ状態で樹脂封止し、個片に分割して半導体装置を得る半導体装置の製造方法において、分割する領域であるスクライブラインの位置を正確に認識することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 その表面に複数の素子領域1が形成された半導体ウエハ2の、素子領域1上に突起電極14と、この突起電極とは識別可能な突起部20とを形成し、これら突起電極14と突起部20の先端が露出するように素子領域1上をを樹脂21にて封止する。その後、樹脂21から露出している突起部20により切断する位置を想定し素子領域に沿って個片に分割する。
請求項（抜粋）：
その表面に複数の素子領域が形成された半導体ウエハの、前記素子領域上に突起電極を形成する工程と、前記突起電極とは識別可能な突起部を前記半導体ウエハ表面に形成する工程と、前記突起電極および前記突起部の先端が露出するように前記半導体ウエハの素子領域形成面を樹脂にて封止する工程と、前記樹脂にて封止された半導体ウエハを前記素子領域に沿って個片に分割する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/78 L
, H01L 21/78 Q
