特許
J-GLOBAL ID：200903056423938464

導電性基材およびその製造方法

発明者：
伊勢田 泰助

伊勢田 泰助 について

, 
生武 範子

生武 範子 について


出願人/特許権者：
三ツ星ベルト株式会社

三ツ星ベルト株式会社 について


代理人 (2件)： 鍬田 充生 ,  阪中 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-219932
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076455
出願日： 2008年08月28日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：
【課題】加熱や光処理することなく、簡便に金属膜を基材上に形成できる導電性基材を提供する。【解決手段】基材とこの基材上に形成された金属膜とで構成された導電性基材(金属複合膜)において、前記基材を、少なくとも表面に多孔質層(例えば、シリカなどの無機粒子で構成された多孔質層)を有する基材とし、かつ前記多孔質層上に、金属ナノ粒子(A)と、この金属ナノ粒子(A)を被覆する保護コロイド(B)とで構成された金属コロイド粒子を含む分散液をコーティングし、前記金属膜を形成することにより金属複合膜を調製する。このような導電性基材では、塗布するだけで、金属ナノ粒子の低温焼結を生じさせることができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基材とこの基材上に形成された金属膜とで構成された導電性基材であって、前記基材の少なくとも表面に多孔質層を有しており、かつ前記金属膜が、前記多孔質層上に、金属ナノ粒子(A)と、この金属ナノ粒子(A)を被覆する保護コロイド(B)とで構成された金属コロイド粒子を含む分散液の塗膜である導電性基材。
IPC (3件)：
H01B 5/14 ,  H01B 13/00 ,  B32B 15/08
FI (3件)：
H01B5/14 Z ,  H01B13/00 503C ,  B32B15/08 D
Fターム (24件)：
4F100AA01C ,  4F100AA19C ,  4F100AA20C ,  4F100AB01B ,  4F100AB24B ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100CA18B ,  4F100DE01B ,  4F100DE01C ,  4F100DG10 ,  4F100DJ01C ,  4F100GB41 ,  4F100JD08 ,  4F100JG01 ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  5G307GA06 ,  5G307GB02 ,  5G307GC01 ,  5G307GC02
引用特許：
出願人引用 (2件)

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