特許
J-GLOBAL ID：200903056437602736
微小電界放出陰極素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051775
公開番号（公開出願番号）：特開平7-262908
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 本発明は熱酸化処理などの高温プロセスを不要にしながら、Siウェーハサイズに限定されることなく、各サイズの冷陰極アレイの作製を可能にするとともに、電子放出特性を大幅に向上させる。【構成】 微小な陰極7と、これら陰極7の近傍に配置されたゲート電極5とに電圧を印加して前記陰極7と前記ゲート電極5との間に生じた電界によって前記陰極7から電子を放出させる微小電界放出陰極素子を作製する際、非晶質シリコンを用いて前記陰極7を作製する。
請求項（抜粋）：
単独またはアレイ化された微小な陰極と、これら陰極の近傍に配置されたゲート電極またはアノード電極とに電圧を印加して前記陰極と前記ゲート電極またはアノード電極との間に生じた電界によって前記陰極から電子を放出させる微小電界放出陰極素子において、前記陰極の材料として、非晶質半導体を用いることを特徴とする微小電界放出陰極素子。
引用特許：
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