電荷転送装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-288445
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129583
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】転送電極の抵抗値を低減させて高速転送を可能とし、しかもプロセス上実現が容易な電荷転送装置を提供する。【構成】半導体基板21上にパターン形成されたポリシリコン膜1とシリサイド膜2を重ねたポリサイド膜と、その側壁に形成されたポリシリコンからなるサイドウォール3とを有する構成であるこの構成により素子の微細化にも対応しやすく、さらに構造的に平坦性のよい、抵抗値の低い単層ゲート電極を形成し、高速運転ができるようになる。

請求項（抜粋）：

所定の処理が施された半導体基板上にパターン形成されたポリシリコン膜とシリサイド膜を重ねた単層のポリサイドゲート電極と、そのポリサイドゲート電極側壁に形成されたポリシリコンからなるサイドウォールとを少なくとも有することを特徴とする電荷転送装置。

IPC (2件)：

H01L 27/148 , H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (1件)

電荷結合素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-272817 出願人：沖電気工業株式会社

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