ZnO膜の成膜方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：森本直之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-114160
公開番号（公開出願番号）：特開2005-298867
出願日： 2004年04月08日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】処理空間に分解ガスを導入し、特別な設備改造を伴うことなく、ZnO成膜の成長を促進させるZnO膜の成膜方法を提供する。【解決手段】処理空間1内に少なくともZn原料ガスとO原料ガスを供給し、上記両原料ガスにより上記処理空間1に露出している被処理物5の表面にZnO膜の成膜を行うZnO膜の成膜方法であって、上記処理空間1内に、少なくとも上記両原料ガスのいずれかの分解を促進する分解ガスを導入しながらZnO膜の成膜を行うことにより、原料ガスが分解されて良好な成膜成長がなされるとともに、プラズマ源やレーザー源を不要とするので、装置の構造簡素化や設備費の低減が図れる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

処理空間内に少なくともZn原料ガスとO原料ガスを供給し、上記両原料ガスにより上記処理空間に露出している被処理物の表面にZnO膜の成膜を行うZnO膜の成膜方法であって、上記処理空間内に、少なくとも上記両原料ガスのいずれかの分解を促進する分解ガスを導入しながらZnO膜の成膜を行うことを特徴とするZnO膜の成膜方法。

IPC (3件)：

C23C16/40 , C23C16/455 , H01L33/00

FI (3件)：

C23C16/40 , C23C16/455 , H01L33/00 D

Fターム (10件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030BA47 , 4K030EA03 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 5F041CA41 , 5F041CA65 , 5F041CA66

引用特許：

出願人引用 (3件)

特許第2715299号公報
酸化亜鉛系薄膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-198875 出願人：島根大学長
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-279612 出願人：東北リコー株式会社, 羽賀浩一

審査官引用 (2件)

酸化亜鉛系薄膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-198875 出願人：島根大学長
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-279612 出願人：東北リコー株式会社, 羽賀浩一

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