特許
J-GLOBAL ID:200903056444875055
多層ポリイミドフィルムおよび積層体
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-286456
公開番号(公開出願番号):特開2002-096437
出願日: 2000年09月21日
公開日(公表日): 2002年04月02日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 比較的緩和な条件で金属箔と積層でき、塩素系の溶剤に対する耐久性が優れ、かつガラス転移温度を幅広く制御できることにより接着条件を幅広く選択でき、かつ高温の使用にも耐えうる多層ポリイミドフィルムおよびそのフィルムを用いた金属層積層体を提供する。【解決手段】 低熱膨張性の基体ポリイミド(X)層の少なくとも片面に、芳香族テトラカルボン酸二無水物残基と、芳香族ジアミン残基とからなるイミド単位を有する薄層ポリイミド(Y)が積層一体化されて、薄層ポリイミド(Y)のガラス転移温度(Tg)が210°Cから310°Cの範囲内で所望の値となるようにp-フェニレンジアミンおよび/またはジアミノジフェニルエ-テルの組成を変えて調整してなる多層ポリイミドフィルム、および該多層ポリイミドフィルムを用いた金属層積層体.
請求項(抜粋):
低熱膨張性の基体ポリイミド(X)層の少なくとも片面に下記式【化1】[式中、Ar1は3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物残基と2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物残基とが50:50〜90:10のモル比である芳香族テトラカルボン酸二無水物残基であり、Ar2は1、3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼンとp-フェニレンジアミンおよび/またはジアミノジフェニルエ-テルとが10:90〜100:0のモル比である芳香族ジアミン残基である。]で示されるイミド単位を有する薄層ポリイミド(Y)が積層一体化されてなり、該薄層ポリイミド(Y)のガラス転移温度(Tg)が210°Cから310°Cの範囲内で所望の値となるようにp-フェニレンジアミンおよび/またはジアミノジフェニルエ-テルの組成を変えて調整してなる多層ポリイミドフィルム。
IPC (8件):
B32B 27/34
, B29C 41/32
, B32B 15/08
, C08G 73/10
, H05K 1/03 610
, H05K 1/03 630
, B29K 79:00
, B29L 9:00
FI (9件):
B32B 27/34
, B29C 41/32
, B32B 15/08 R
, B32B 15/08 J
, C08G 73/10
, H05K 1/03 610 N
, H05K 1/03 630 D
, B29K 79:00
, B29L 9:00
Fターム (69件):
4F100AB01C
, 4F100AB10
, 4F100AB17
, 4F100AB33C
, 4F100AK49A
, 4F100AK49B
, 4F100BA02
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA05
, 4F100BA06
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10B
, 4F100BA10C
, 4F100BA13
, 4F100EH20
, 4F100EH46
, 4F100EH66C
, 4F100EH71C
, 4F100EJ20
, 4F100EJ42
, 4F100GB43
, 4F100JA02A
, 4F100JA05B
, 4F100JA06B
, 4F100JB07
, 4F100JJ03
, 4F100JL01
, 4F100YY00A
, 4F100YY00B
, 4F100YY00C
, 4F205AA40
, 4F205AC05
, 4F205AG03
, 4F205AH33
, 4F205AH36
, 4F205GA07
, 4F205GB02
, 4F205GB26
, 4F205GC02
, 4F205GC07
, 4F205GF01
, 4F205GF24
, 4J043QB15
, 4J043QB26
, 4J043QB31
, 4J043RA35
, 4J043SA06
, 4J043SA47
, 4J043SB02
, 4J043TA22
, 4J043TA71
, 4J043TB02
, 4J043UA121
, 4J043UA131
, 4J043UA132
, 4J043UA141
, 4J043UA672
, 4J043UB121
, 4J043VA012
, 4J043VA021
, 4J043VA022
, 4J043VA041
, 4J043VA051
, 4J043VA092
, 4J043ZA35
, 4J043ZB11
, 4J043ZB58
引用特許: