特許

J-GLOBAL ID：200903056453856829

パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法

発明者： 吉留 正洋
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-181838
公開番号（公開出願番号）：特開2009-042749
出願日： 2008年07月11日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】第一のレジストパターンを形成した後、第一のレジストパターンの上に第二のレジスト膜を形成し第二のレジストパターンを形成するために、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行って第二のレジスト液に溶解しないように性状を変化させるフリージングプロセスにおいて、第一のレジストパターンが第二のレジスト液に溶解せず、第一のレジストパターンの寸法が変化しない、更には、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのドライエッチング耐性が同じであるという要件を満たすように、第一のレジストパターンに対して化学的な処理を行う為のフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】アミノ基および芳香族環を有する特定の化合物を含有するパターン形成用表面処理剤、及び、当該表面処理剤を用いたパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

第一のレジストパターンを形成した後、第一のレジストパターンの上に第二のレジスト膜を形成し第二のレジストパターンを形成する前工程に用いられる表面処理剤であって、一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とするレジストパターン形成用表面処理剤。 一般式(1):

IPC (2件)：

G03F 7/40 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F7/40 511 ,  H01L21/30 563

Fターム (13件)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA02 ,  2H096HA05 ,  5F046HA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 微細パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-000347   出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ