特許

J-GLOBAL ID：200903056469592120

半導体素子、及びその製造方法

発明者： 金澤 学
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (2件)： 木村 満 ,  毛受 隆典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-214156
公開番号（公開出願番号）：特開2006-040929
出願日： 2004年07月22日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】厚み方向の特定領域に重金属を拡散させた半導体素子及び、その製造方法を提供する。【解決手段】 N型半導体基板51の一方の主面に、P型半導体領域12を形成する。N型半導体基板51の一方の主面にAu膜を形成し、熱処理によってN型半導体基板51内にAuを拡散させる。N+半導体基板52の一方の主面に、第2N型半導体領域22を形成する。次に、N型半導体基板51の他方の主面と、第2N型半導体領域22とを重ね、熱処理によって固着させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体基板の一方の主面の表面領域に、第2導電型の第2半導体領域を形成する工程と、 前記第1半導体基板内に、重金属を拡散させる工程と、 前記第1半導体基板より低濃度に重金属が拡散されている、又は重金属が拡散されていない第1導電型の第2半導体基板を、前記第1半導体基板の他方の主面に固着させる工程と、を備えることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/329 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/732

FI (4件)：

H01L29/91 A ,  H01L21/02 B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/72 P

Fターム (14件)：

4M104AA01 ,  4M104BB10 ,  4M104BB11 ,  4M104BB12 ,  4M104CC01 ,  4M104GG02 ,  5F003AP06 ,  5F003BA07 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BP08 ,  5F003BP31 ,  5F003BP36 ,  5F003BZ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-015625   出願人：株式会社明電舎