n型窒化物半導体の電極

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-160726
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008410
出願日： 1997年06月18日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 n型層に形成するn電極がn型層との好ましいオーミック接触を得ると共に、過酷な使用条件でも変質しにくいn電極を提供する。【解決手段】 n型窒化物半導体層表面12に形成された電極23が、少なくとも、チタン、ジルコニウム及びタングステンの少なくとも1種からなる第一の電極材料、アルミニウム、ケイ素及びゲルマニウムの少なくとも1種からなる第二の電極材料、並びにロジウムからなる第三の電極材料を含有する、また第一〜第三の電極材料と金からなる第四の電極材料を含有する。

請求項（抜粋）：

n型窒化物半導体層表面に形成された電極において、該電極が少なくとも、チタン、ジルコニウム及びタングステンの少なくとも1種からなる第一の電極材料、アルミニウム、ケイ素及びゲルマニウムの少なくとも1種からなる第二の電極材料、並びにロジウムからなる第三の電極材料を含有することを特徴とするn型窒化物半導体の電極。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301 , H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01L 21/28 301 B , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (5件)

発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-080305 出願人：三菱電線工業株式会社
n型窒化物半導体の電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-224913 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平3-203284

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