半導体層の製造方法、半導体レーザの製造方法、及び半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211051
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078788
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 LDの製造方法において、エッチング工程でのクラッド層の選択性を向上させ、かつクラッド層の不純物が水素パッシベーションの影響を受けないようにすることで、その半導体レーザの精度を向上することができる半導体層の製造方法及びこれにより作製される半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 LDに用いるGaAs基板の、第2のp-AlGaInPクラッド層上にp-GaAsキャップ層を成長したDH結晶を成長させ、上記p-GaAsキャップ層を酒石酸系のエッチャントで選択エッチングし、続いて、第2のp-AlGaInPクラッド層を硫酸系のエッチャントでp-GaInPエッチングストッパ層まで選択エッチングしてリッジを形成し、ブロック層を成長した後、p-GaAsコンタクト層を成長後、降温時に水素ラジカルを生じる上記半導体を構成する元素を有する材料ガスの使用を停止することを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

ダブルヘテロ(以下DHと称す)構造を構成する可視光半導体レーザの製造方法において、GaAs基板に、p-GaInPバンド不連続緩和層を含まない,n-GaAsバッファ層、n-AlGaInPクラッド層、Alx Ga(1-x) InP活性層、第1のp-AlGaInPクラッド層、p-GaInPエッチングストッパ層、第2のp-AlGaInPクラッド層、及びp-GaAsキャップ層よりなる可視光レーザのDH結晶を成長する工程と、該DH結晶上にストライプ状の選択マスクを成膜する工程と、上記選択マスクをマスクとして、上記p-GaAsキャップ層を選択エッチングする工程と、続いて、第2のp-AlGaInPクラッド層をp-GaInPエッチングストッパ層まで選択エッチングし、ストライプ状のリッジを形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 21/306 , H01L 21/203

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-328822
化合物半導体のエピタキシャル成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-301202 出願人：ソニー株式会社
特開平3-003319

審査官引用 (14件)

特開平4-328822
特開平3-204986
特開平4-162485

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