特許

J-GLOBAL ID：200903056510131348

相変化合金のエッチング

発明者： フー・チエン ,  リュー・シェンジアン ,  リー・リンダ・ファン-ミン
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-518436
公開番号（公開出願番号）：特表2009-543351
出願日： 2007年06月08日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】【解決手段】デバイスを形成する方法が提供されている。相変化層が設けられる。相変化層は、臭素含有化合物を含むエッチングガスを供給してエッチングガスからプラズマを形成することによりエッチングされる。相変化層は、電流で加熱できる材料から成り、その後の冷却時に、その材料を冷却する速さに応じてアモルファス材料または結晶材料を形成する。さらに、アモルファス材料は、結晶材料の少なくとも数倍の抵抗を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

デバイスを形成するための方法であって、 相変化層を設ける工程と、 前記相変化層をエッチングする工程と、 を備え、 前記相変化層をエッチングする工程は、 臭素含有化合物を含むエッチングガスを供給する工程と、 前記エッチングガスからプラズマを形成する工程と、 を備える、方法。

IPC (3件)：

H01L 45/00 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L45/00 A ,  H01L27/10 448 ,  H01L21/302 101B

Fターム (18件)：

5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB12 ,  5F004EB02 ,  5F004EB04 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-158624   出願人：株式会社日立製作所