特許

J-GLOBAL ID：200903044224912997

半導体記憶装置の製造方法

発明者： 陳岡 敏典
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (2件)： 作田 康夫 ,  井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-158624
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340554
出願日： 2004年05月28日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】 カルコゲナイド系材料を用いた相変化メモリの製造工程において、シリコン基板の裏面及びベベル部に付着したカルコゲナイドによる汚染を短時間で効果的に除去すること。【解決手段】 カルコゲナイドを成膜後及び所望の形状に加工した後に、まずフッ化水素と硝酸またはフッ化水素と硝酸と酢酸を含有した第1の洗浄液により基板を洗浄する。次いで、塩酸と過酸化水素またはフッ化水素と過酸化水素またはアンモニアと過酸化水素を含有した第2洗浄液で洗浄する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

カルコゲナイド系材料を記憶ノードに用いる半導体記憶装置の製造方法であって、半導体基板上に上記カルコゲナイドを堆積させた後に該半導体基板の裏面及び端面に付着した余剰のカルコゲナイドを除去する際、2種類の洗浄液を段階的に使用することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L27/10 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L45/00

FI (4件)：

H01L27/10 448 ,  H01L21/304 647Z ,  H01L45/00 A ,  H01L21/306 R

Fターム (9件)：

5F043AA40 ,  5F043BB30 ,  5F043DD13 ,  5F043GG10 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• シリコンウェーハ表面の金属膜の除去方法とそれに用いる酸性水溶液、及びシリコンウェーハの再生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-110868   出願人：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社
• エッチング方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-380654   出願人：株式会社荏原製作所