特許

J-GLOBAL ID：200903056518715993

記憶回路、記憶回路から情報を読み出す方法および記憶回路に情報を書き込む方法

発明者： パオロ・ローランディ
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-018819
公開番号（公開出願番号）：特開平9-311823
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 不用な如何なる領域を含むことなくその重要性に適合できる多層式の記憶回路を得る。【解決手段】 記憶回路(MEM)は、1つ以上の2進情報単位をそれぞれ記憶するようになされた複数の記憶要素(MTX)を備える。記憶要素(MTX)は、特定の用途に対して許容可能な誤り率と関連して多数の2進情報単位、代表的には、低い誤り率が要求される場合には1ビット、より高い誤り率が受け入れられる場合には2ビットを記憶するのに用いられる。

請求項（抜粋）：

多数の2進情報単位をそれぞれ記憶可能な複数の記憶要素(MTX)を備えた記憶回路において、少なくとも第1および第2の動作モードを有し、上記記憶要素は恰も第1の数の2進情報単位をそれぞれ記憶するために適合されるように上記第1の動作モードで使用され、且つ恰も第2の数の2進情報単位をそれぞれ記憶するために適合されるように上記第2の動作モードで使用され、上記第1の数と第2の数は同じでないことを特徴とする記憶回路。

IPC (2件)：

G06F 12/16 310 ,  G11C 11/41

FI (2件)：

G06F 12/16 310 A ,  G11C 11/34 301 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-122014   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開昭62-150447