特許

J-GLOBAL ID：200903056525461239

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 中村 彰男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065157
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260910
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子の封止樹脂と基板の剥離などを防止する。【構成】 本発明の半導体素子は第1の厚さを有する中央部および第1の厚さよりも薄い第2の厚さを有する周辺部を有する半導体基板と、半導体基板上に形成された電極パッドと、半導体基板を封止する封止樹脂と、封止樹脂上に形成された突起電極と、電極パッドと突起電極とを電気的に接続する配線とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1の厚さを有する中央部および第1の厚さよりも薄い第2の厚さを有する周辺部を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された電極パッドと、前記半導体基板を封止する封止樹脂と、前記封止樹脂上に形成された突起電極と、前記電極パッドと前記突起電極とを電気的に接続する配線とを有することを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 23/28 Z ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/12 L

Fターム (9件)：

4M109AA01 ,  4M109CA26 ,  4M109DA02 ,  4M109DB17 ,  4M109GA10 ,  5F061AA01 ,  5F061CA26 ,  5F061DE04 ,  5F061FA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-271323   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭51-137378