特許
J-GLOBAL ID：200903022828405585
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-271323
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111896
出願日： 1997年10月03日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 チップサイズパッケージ(CSP)の軽薄短小化、低コスト化および接続、耐湿の高信頼性等の長所を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンチップに直接低弾性樹脂を塗布し、パターンをシリコンチップ上にビルドアップし、周辺パッドタイプをエリアタイプの外部接続用電極に形成する。露光現像のプロセスで樹脂層を形成する場合は、レーザーにより穴を樹脂層に形成する。ウエハー状態でハーフカットのスクライブ溝を形成し、それから低弾性樹脂を塗布するので、シリコンチップの回路の破断面を外気に触れさせない。樹脂層の弾性率200kgf/mm2 以下、厚さ20μm以上、導体パターンの厚みが5μm以上であることが好ましい。
請求項（抜粋）：
半導体装置において、回路と相互接続配線層と入出力用電極パッドとが形成されている半導体チップの上面を覆うように形成された樹脂層であって前記入出力用電極パッドに対応する位置に穴が開けられた前記樹脂層と、前記樹脂層表面に形成された外部接続用電極と、前記樹脂層表面に形成され前記入出力用電極パッドと前記外部接続用電極とを接続する導体パターンと、を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 21/60 311
, H01L 21/60
H01L 23/30 D
, H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/92 602 L
, H01L 21/92 604 Z
