特許

J-GLOBAL ID：200903056541829831

移相器及び多ビット移相器

発明者： 檜枝 護重 ,  宮口 賢一 ,  笠原 通明 ,  高木 直 ,  池松 寛 ,  竹内 紀雄 ,  中畔 弘晶 ,  稲見 和喜
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-143654
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344201
出願日： 2001年05月14日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 ピンチオフにしたFET2aのOFF容量の影響を小さくするには、FET2aのゲート幅を小さくする必要があるため損失が増加する課題があった。【解決手段】 ドレイン電極が入出力端子1aと接続されたFET2aと、ドレイン電極がFET2aのソース電極と接続され、ソース電極が入出力端子1bと接続されたFET2bと、ドレイン電極がFET2aのソース電極と接続されたFET2cと、一端がFET2cのソース電極と接続され、他端がグランドと接続されたインダクタ3aとを設けたものである。

請求項（抜粋）：

一方のチャネル形成電極が第1の入出力端子と接続された第1の電界効果トランジスタと、一方のチャネル形成電極が上記第1の電界効果トランジスタの他方のチャネル形成電極と接続され、他方のチャネル形成電極が第2の入出力端子と接続された第2の電界効果トランジスタと、一方のチャネル形成電極が上記第1の電界効果トランジスタの他方のチャネル形成電極と接続された第3の電界効果トランジスタと、一端が上記第3の電界効果トランジスタの他方のチャネル形成電極と接続され、他端がグランドと接続されたインダクタとを備えた移相器。

IPC (2件)：

H01P 1/18 ,  H03H 11/18

FI (2件)：

H01P 1/18 ,  H03H 11/18 Z

Fターム (7件)：

5J012GA04 ,  5J098AA03 ,  5J098AA14 ,  5J098AA16 ,  5J098AB20 ,  5J098AD25 ,  5J098DA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 移相器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055854   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-151113