特許
J-GLOBAL ID：200903056550801494
多層配線基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-043672
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242326
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】半導体素子のフリップチップ実装や、BGA実装に適した多層配線基板を提供する。【課題手段】少なくとも有機樹脂を含む絶縁層1と、銅、アルミニウム、銀、金のうち少なくとも1種の低抵抗金属からなる配線回路2とを具備し、最上層の絶縁層1aの表面に半導体素子3が搭載される多層配線基板Aにおいて、最上層の絶縁層1aの室温〜250°Cにおける熱膨張係数が10×10-6/°C以下であり、且つ最下層1dの室温〜250°Cにおける熱膨張係数が10×10-6/°Cよりも大きく、25×10-6/°C以下であることを特徴とし、半導体素子3は、最上層の絶縁層1aにフリップチップ実装され、最下層の絶縁層1dには、接続端子6を具備し、接続端子6を半田を介してマザーボード5と接続する。
請求項（抜粋）：
少なくとも有機樹脂を含む絶縁層と、金属からなる配線回路とを具備し、最上層の絶縁層の表面に半導体素子が搭載される多層配線基板において、前記最上層の絶縁層の室温〜250°Cにおける熱膨張係数が10×10-6/°C以下であり、且つ前記最下層の室温〜250°Cにおける熱膨張係数が10×10-6/°Cよりも大きく、25×10-6/°C以下であることを特徴とする多層配線基板。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L 23/12 N
, H05K 3/46 T
, H05K 3/46 Q
, H01L 23/12 J
, H01L 23/12 L
