特許

J-GLOBAL ID：200903099786410527

圧接型半導体装置

発明者： 安藤 勝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-232945
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074456
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 電気的諸特性に優れ、特に温度サイクルやパワーサイクルに対する信頼性が向上された電力用の半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の圧接型半導体装置では、4個のIGBT11aと4個のFRD11bとが同一平面上で並列に配置・接続された半導体ユニット13の2組が、共通電極板14を挟んで直列に配置・接続されており、これらの両側に陽極板15および陰極板16がそれぞれ並置され、皿ばね17の押圧付勢力により、モリブデンディスク12を介してIGBT11aおよびFRD11bの対向する主面に圧接されている。また、皿ばね17嵌着部の外側には、セラミック薄層19を介して放熱フィン20がそれぞれ配置されており、さらにこれら全体が、中央の挿通孔に挿通された通しボルト21とナット22とにより締付け結合されている。

請求項（抜粋）：

両主面にそれぞれ電極端子を有する矩形の半導体素子の複数個を、並列に接続されるように同一平面上に配置してなる半導体素子ユニットと、該半導体素子ユニットを前記両主面側からそれぞれ挟持し、各半導体素子の電極端子にそれぞれ熱緩衝板を介して接触する複数枚の電極板と、これらの電極板を前記半導体素子の主面に対して垂直な方向に押圧付勢するばね部材と、前記半導体素子ユニットおよび電極板をそれぞれ貫通する通しボルトとナットとから成り、前記ばね部材の押圧付勢力を調整する機構とを備え、前記半導体素子ユニットにおいて、各半導体素子が前記通しボルトを取り囲むように配置されていることを特徴とする圧接型半導体装置。

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 圧接型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-134451   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 圧接型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-134451   出願人：株式会社東芝