特許

J-GLOBAL ID：200903056559845249

低圧CVD用SiC治具及びその製造法

発明者： 紙透 洋一 ,  入沢 直志
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 小池 信夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146198
公開番号（公開出願番号）：特開2000-327459
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：

【要約】【課題】 サンドブラスト処理を行うことなくCVD膜との密着力を向上させ、CVD処理を繰り返してSiC治具の表面にCVD膜がかなり厚く形成されても、CVD膜の剥離を防止する。【解決手段】 CVDによりコートされたSiC被膜 (2) の厚さが20〜150μmであり、かつ、被膜表面の平均表面粗さRa (3) が1.5〜5.0μmであるSi含浸SiC治具を使用する。

請求項（抜粋）：

半導体製造工程での低圧CVD装置に用いられるCVDによるSiC被膜がコートされたSi含浸SiC治具において、当該コートされたSiC被膜の厚さが20〜150μmであり、かつ、SiC被膜の平均表面粗さRaが1.5〜5.0μmであることを特徴とするSiC治具。

IPC (3件)：

C04B 41/87 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

C04B 41/87 M ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31 F

Fターム (38件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BA40 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA20 ,  4K030KA47 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045BB15 ,  5F045BB17 ,  5F045DA51 ,  5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-144963
  
• 半導体製造用治具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-054003   出願人：株式会社アドマップ