特許
J-GLOBAL ID：200903056578806220
パターン描画装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
池田 憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-399101
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159232
出願日： 2003年11月28日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】従来装置で用いられるマイクロレンズアレイにおける各マイクロレンズの焦点距離は一般に100ミクロン前後と短いため、その直後に配置するピンホール板を数十ミクロン程度に薄くする必要がある。ところが、その結果、ピンホール板が自重でたわむため、基板に投影される各スポットの大きさが変化することがあった。【解決手段】第1のピンホール板106aと縮小投影光学系108との間に、第2の投影光学系と第2のピンホール板を配置したものである。この構成によれば、第2のピンホール板106bでは、マイクロレンズの焦点距離とは無関係に厚くできるため、たわみを無視できる程度に小さくすることができる。この結果、第1のピンホール板を大きくせずに、第2の投影光学系によって第2のピンホール板を大きくできるため、スポットの大きさの変動を引き起こすことなく、描画速度を高めることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
紫外光発生部、二次元配列状の微小ミラー、マイクロレンズアレイ、前記二次元配列状の微小ミラーからの光を前記マイクロレンズアレイに投影する第1の投影光学系、前記マイクロレンズアレイによる紫外光の集光点近傍に配置した第1のピンホール板、および前記第1のピンホールからの光を描画対象の基板に投影する縮小投影光学系を含むパターン描画装置において、前記第1のピンホール板と前記縮小投影光学系との間に第2のピンホール板を配置したことを特徴とするパターン描画装置。
IPC (4件)：
H01L21/027
, G02B3/00
, G02B5/00
, G03F7/20
H01L21/30 529
, G02B3/00 A
, G02B5/00 B
, G03F7/20 501
, H01L21/30 515D
2H042AA14
, 2H097AA03
, 2H097CA06
, 2H097GB04
, 2H097LA10
, 2H097LA20
, 5F046AA04
, 5F046BA06
, 5F046BA07
, 5F046CB05
, 5F046CB18
, 5F046CB24
出願人引用 (7件)
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USP6,428,940
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USP 6,473,237
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特願2003年第107776号公報(明細書)
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特願2003年第163851号公報(明細書)
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特願2003年第174017号公報(明細書)
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特願2003年第374846号公報(明細書)
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アレイ素子検査方法およびアレイ素子検査装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-310920
出願人：ホーヤ株式会社
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審査官引用 (1件)
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