特許

J-GLOBAL ID：200903056582463299

回路装置およびその製造方法

発明者： トーマス シェルク ,  ヨーゼフ-ゲオルク バウアー ,  ハンス-ヨアヒム シュルツェ ,  マルクス シュヴェルト
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-559597
公開番号（公開出願番号）：特表2002-520856
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2002年07月09日
要約：

【要約】回路装置の接続を強化するために、回路装置の導電領域に圧力コンタクト(D)が配置されている。圧力コンタクトは、金属、例えば銅を含んでおりかつパッシベーション層(S)の上方にある実質的にフラットな上面、および有利には実質的に垂直な側面を有している。導電領域の、コンタクト形成すべき領域を被覆していないマスク(P)を用いて、金属が、電流を用いた電気メッキプロセスによって被着され、これにより圧力コンタクト(D)が生成される。このプロセスは、圧力コンタクト(D)の上面がマスク(P)の上面の下方に来ると、終了される。電気メッキプロセスに対する電圧印加のために並びに結晶化の基礎として、導電領域に、例えば銅を含んでいる導電層(L)を被着することができる。

請求項（抜粋）：

圧力コンタクト(D)が回路装置の導電領域の上に配置されておりかつ該導電領域とコンタクト形成されており、圧力コンタクト(D)は金属を含んでおり、圧力コンタクト(D)の上面は実質的にフラットであり、圧力コンタクト(D)の上面は回路装置のパッシベーション層(S)の上方に存在していることを特徴とする回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/288 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/288 E ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 M

Fターム (42件)：

4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB27 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF16 ,  4M104FF22 ,  4M104GG01 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM11 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR02 ,  5F033RR05 ,  5F033RR22

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-081345
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-133682   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-214891   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭64-081345