特許
J-GLOBAL ID:200903056585813223
非結晶性シリコン垂直カラーフィルター
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
山崎 行造
, 杉山 直人
, 白銀 博
, 赤松 利昭
, 奥谷 雅子
, 田坂 一朗
, 尾首 亘聰
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-515008
公開番号(公開出願番号):特表2008-500723
出願日: 2004年05月27日
公開日(公表日): 2008年01月10日
要約:
【課題】イメージセンサーの面積を縮小するとともに微細で簡単なセンサー回路を達成し、製造プロセスが容易な高感度のイメージサンサーを提供する。【解決手段】半導体集積回路製造プロセスによって、半導体基板上に、少なくとも2つの垂直に積層した感光性センサーを有する垂直カラーフィルターセンサー群を形成する。各々のセンサーは異なるスペクトル応答を持つ。少なくとも1つのセンサーは結晶性シリコン以外の半導体材料、たとえばシリコンカーバイド、InxGa1-xN、III-V族半導体材料、ポリシリコン、またはアモルファスシリコンなどの少なくとも1つの層を含む。本発明の他の特徴は、垂直カラーフィルターセンサー群、およびこのような垂直カラーフィルターセンサー群とそれらのアレイの製造方法である。また少なくとも1つのセンサーは光子吸収領域およびアバランシェ・ゲイン領域を持つ。【選択図】なし
請求項(抜粋):
少なくとも2つの垂直積層センサーが形成される固体材料のブロックを含むセンサー群であって、フォトダイオードとして機能してバイアスされるために作られるように、センサーの各々が構成され、センサーの各々は異なるスペクトル応答を持ち、さらに少なくとも1つのセンサーはシリコン以外の半導体材料の少なくとも1つの層を含むことを特徴とするセンサー群。
IPC (3件):
H01L 27/146
, H01L 31/10
, H04N 5/335
FI (3件):
H01L27/14 A
, H01L31/10 D
, H04N5/335 V
Fターム (43件):
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA03
, 4M118CA22
, 4M118CA25
, 4M118CA27
, 4M118CA32
, 4M118CB01
, 4M118GB03
, 4M118GB07
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5C024AX01
, 5C024CY47
, 5C024DX01
, 5C024EX52
, 5C024GX03
, 5F049MA02
, 5F049MA08
, 5F049MB03
, 5F049MB05
, 5F049MB07
, 5F049NA08
, 5F049NA20
, 5F049NB03
, 5F049NB05
, 5F049PA03
, 5F049PA07
, 5F049PA09
, 5F049PA10
, 5F049PA11
, 5F049PA14
, 5F049QA07
, 5F049RA04
, 5F049SE05
, 5F049SS03
, 5F049SZ07
, 5F049SZ08
, 5F049TA12
, 5F049WA03
, 5F049WA09
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平2-188971
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特開平2-188971
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波長計測装置および波長計測方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-143106
出願人:日本電信電話株式会社
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