特許
J-GLOBAL ID:200903056585813223

非結晶性シリコン垂直カラーフィルター

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 山崎 行造 ,  杉山 直人 ,  白銀 博 ,  赤松 利昭 ,  奥谷 雅子 ,  田坂 一朗 ,  尾首 亘聰
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-515008
公開番号(公開出願番号):特表2008-500723
出願日: 2004年05月27日
公開日(公表日): 2008年01月10日
要約:
【課題】イメージセンサーの面積を縮小するとともに微細で簡単なセンサー回路を達成し、製造プロセスが容易な高感度のイメージサンサーを提供する。【解決手段】半導体集積回路製造プロセスによって、半導体基板上に、少なくとも2つの垂直に積層した感光性センサーを有する垂直カラーフィルターセンサー群を形成する。各々のセンサーは異なるスペクトル応答を持つ。少なくとも1つのセンサーは結晶性シリコン以外の半導体材料、たとえばシリコンカーバイド、InxGa1-xN、III-V族半導体材料、ポリシリコン、またはアモルファスシリコンなどの少なくとも1つの層を含む。本発明の他の特徴は、垂直カラーフィルターセンサー群、およびこのような垂直カラーフィルターセンサー群とそれらのアレイの製造方法である。また少なくとも1つのセンサーは光子吸収領域およびアバランシェ・ゲイン領域を持つ。【選択図】なし
請求項(抜粋):
少なくとも2つの垂直積層センサーが形成される固体材料のブロックを含むセンサー群であって、フォトダイオードとして機能してバイアスされるために作られるように、センサーの各々が構成され、センサーの各々は異なるスペクトル応答を持ち、さらに少なくとも1つのセンサーはシリコン以外の半導体材料の少なくとも1つの層を含むことを特徴とするセンサー群。
IPC (3件):
H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (3件):
H01L27/14 A ,  H01L31/10 D ,  H04N5/335 V
Fターム (43件):
4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA22 ,  4M118CA25 ,  4M118CA27 ,  4M118CA32 ,  4M118CB01 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024AX01 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5F049MA02 ,  5F049MA08 ,  5F049MB03 ,  5F049MB05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA08 ,  5F049NA20 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA03 ,  5F049PA07 ,  5F049PA09 ,  5F049PA10 ,  5F049PA11 ,  5F049PA14 ,  5F049QA07 ,  5F049RA04 ,  5F049SE05 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ07 ,  5F049SZ08 ,  5F049TA12 ,  5F049WA03 ,  5F049WA09
引用特許:
審査官引用 (3件)

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