特許

J-GLOBAL ID：200903056604063370

半導体装置及びその製造方法

発明者： 湯淺 寛 ,  佐竹 哲郎 ,  松浦 正純 ,  後藤 欣哉
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (8件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  手島 勝 ,  藤田 篤史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-311397
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146682
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】配線間の絶縁膜として炭素含有シリコン酸化膜を用いた半導体装置において配線構造の不良を防止する。【解決手段】下層金属配線104と上層金属配線113との間の層間絶縁膜として、密度又は炭素濃度が厚さ方向に連続的に変化する炭素含有絶縁膜(第3の絶縁膜106)を用いる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の上に形成された下層配線と、 前記下層配線の上に形成され、シリコン及び炭素を含む第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜及び第1の絶縁膜に埋め込まれた上層配線と、 前記第1の絶縁膜における前記上層配線の下側部分に埋め込まれ、且つ前記下層配線と前記上層配線とを接続するプラグとを備え、 前記第1の絶縁膜の密度が厚さ方向に連続的に変化していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/768 ,  H01L21/316

FI (3件)：

H01L21/90 K ,  H01L21/316 X ,  H01L21/90 A

Fターム (24件)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR12 ,  5F033SS15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F058BA20 ,  5F058BC12 ,  5F058BF07 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-363500   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-363500   出願人：株式会社日立製作所