特許
J-GLOBAL ID：200903056622546958
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-020006
公開番号（公開出願番号）：特開2000-221662
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 従来の欠陥修正技術に制約されることなく、エッジ部分に発生する欠陥をより高精度に修正する。【解決手段】 原版のパターンを被露光基板に転写してパターンを形成するパターン形成方法において、LSIのパターンが形成された原版の主パターン領域12のうち欠陥パターンを含む欠陥領域上に遮光膜を形成して該欠陥領域を転写不可能にする工程と、原版の主パターン領域12を被露光基板に転写する工程と、原版の欠陥領域に相当する部分に対して、該原版の主パターン領域以外の余白領域11に形成された補助パターン13,14を被露光基板に転写する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
LSIのパターンが形成された原版の主パターン領域のうち欠陥パターンを含む欠陥領域上に遮光膜を形成して該欠陥領域を転写不可能にする工程と、前記原版の主パターン領域を被露光基板に転写する工程と、前記原版の欠陥領域に相当する部分に対して、該原版の主パターン領域以外の補助パターン領域又は別の原版に形成された補助パターンを前記被露光基板に転写する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
FI (2件)：
G03F 1/08 T
, G03F 1/08 A
2H095BB01
, 2H095BB12
, 2H095BB33
, 2H095BD04
, 2H095BD28
, 2H095BD34
, 2H095BD35
