特許

J-GLOBAL ID：200903056634616196

シリコン上の高Qインダクタ

発明者： デービッド・ルイス・ハラム ,  ケネス・ジェイ・シュタイン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-196834
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040789
出願日： 1998年07月13日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 低いQおよび低い自己共振周波数を有する渦巻きインダクタなど受動構成要素の問題を克服すること。【解決手段】 半導体基板12と、半導体基板中に形成された互いに実質上平行な複数の離間したトレンチ30であって、絶縁体32で被覆された側壁を有し、前記複数のトレンチ上に連続的な上面を形成する材料35で充填されたトレンチ30と、前記複数の離間したトレンチ上に形成された絶縁体層15と、前記複数の離間したトレンチ上に形成されたインダクタ37、38、39など電子デバイスとを含み、それにより前記電子デバイスの下の前記複数の離間したトレンチが基板に対して高抵抗領域を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板中に形成された互いに実質上平行な複数の離間した分離トレンチであって、前記基板の抵抗よりも大きい抵抗を有する材料で充填され、かつ前記複数のトレンチ上に連続的な表面を形成するために前記トレンチの上面まで充填される複数の離間した分離トレンチと、前記複数の離間したトレンチ上に形成された絶縁層と、前記複数の離間したトレンチ上に形成された受動構成要素とを含み、それにより前記受動構成要素の下の前記複数の離間したトレンチが前記基板の抵抗に対して高い抵抗領域を形成する集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 17/00

FI (2件)：

H01L 27/04 L ,  H01F 17/00 B

Fターム (14件)：

5E070AA01 ,  5E070AB06 ,  5E070AB07 ,  5E070CB12 ,  5E070CB17 ,  5E070CB20 ,  5E070CC10 ,  5E070DB08 ,  5F038AC01 ,  5F038AZ04 ,  5F038DF01 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• インダクタ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-132498   出願人：株式会社東芝