インダクタ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132498
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321802
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】インダクタ素子におけるコイルの渦電流の発生を抑制する。【解決手段】半導体基板10上に形成された酸化膜20と、この酸化膜20上に形成されたコイル30とを、有するインダクタ素子において、コイル30下方の半導体基板10中に、格子状に絶縁体層40を形成する。すなわち、半導体基板10の溝10aに、酸化膜外壁42とシリコン柱44とからなる、絶縁体層40を埋め込む。この絶縁体層40により、コイルに発生する渦電流のパスを短くして、渦電流の発生を抑制するとともに、寄生容量を低減して、渦電流の発生を抑制する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたコイルと、を備えたインダクタ素子において、前記コイルの下方における前記半導体基板内に、前記半導体基板を区切るようにその深さ方向に向かって溝が形成され、この溝中に絶縁体層が埋め込まれた、ことを特徴とするインダクタ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01F 17/00

FI (2件)：

H01L 27/04 L , H01F 17/00 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-083509 出願人：日本プレシジョン・サーキッツ株式会社
コイル構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-148581 出願人：ソニー株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-182911 出願人：株式会社東芝

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